处理芯片上波导藕合纳米柱金属材料腔发光二极管_威尼斯人官网

本文摘要:研究工作人员展览一种粘合至硅基钢板的纳米级LED层局部变量,并可藕合至磷化铟(InP)塑料薄膜波导组成光闸光纤耦合器。而在超低温时,研究工作人员发布的输出功率级为50nW,相当于在2GBb/s速度下每名传送高达400个光量子,这一数据“比较之下小于理想化信号接收器的散粒噪音(shot-noise)无穷大敏感度。”

纳米

当阐述在各有不同CPU或运行内存中间提高处理芯片中间的传送总流量时,光量子学是一个受欢迎的话题讨论。截止迄今为止,微波加热漏、光调变器、键入藕合光闸与光探测仪皆已成功进行整合了,但要设计方案理想化的μm级灯源仍十分具有趣味性。西班牙恋人因霍芬科技学院(EindhovenUniversityofTechnology)的研究工作人员在近期一期的《大自然通讯》(NatureCommunications)刊物中公布发布相关“处理芯片上波导藕合纳米柱金属材料腔发光二极管”(Waveguide-couplednanopillarmetal-cavitylight-emittingdiodesonsilicon)的最近研究。

研究工作人员展览一种粘合至硅基钢板的纳米级LED层局部变量,并可藕合至磷化铟(InP)塑料薄膜波导组成光闸光纤耦合器。新型纳米级LED(nano-LED)的扫描式透射电镜图(SEM)说明在金属化以前的生产制造组件构造。

纳米柱LED位于相接至光闸光纤耦合器的波导顶端这类nano-LED应用次μm级的纳米柱样子,其高效率可较前一代组件高些1,000倍,在室内温度下的功率仅有几纳瓦(nW),相形之下,此前的研究結果大概为皮瓦(pW)级功率。依据该研究毕业论文说明,这类组件必须展示出极低的外界量子效率(室内温度各自为10^?4~10^?2,及其9.5K)。

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而在超低温时,研究工作人员发布的输出功率级为50nW,相当于在2GBb/s速度下每名传送高达400个光量子,这一数据“比较之下小于理想化信号接收器的散粒噪音(shot-noise)无穷大敏感度。”该组件工作于电信网光波长(1.55μm),能以頻率达到5GHz的单脉冲波型发生器进行调变。硅基钢板上的纳米柱型LED平面图。

从高层到最底层的局部变量分别是:n-InGaAs(100?nm)/n-InP(350?nm)/InGaAs(350?nm)/p-InP(600?nm)/p-nGaAsP(200?nm)/InP(250?nm)/SiO2/BCB/SiO2/Si研究工作人员答复,“因为短路线点到点的耗损较低,及其整合信号接收器技术性不断进度,这一输出功率级有希望以强力精美的灯源搭建处理芯片內部的传输数据。”研究工作人员还产品研发了一种表层浸蚀方式,必须更进一步为nano-LED提高100倍的高效率,另外运用提升 奥姆了解(ohmiccontact)更进一步降低功耗。

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